EBAC（Electron Beam Absorbed Current）

RCI（Resistive Contrast Imaging）

芯片工藝進(jìn)入 55 納米/65 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，EBAC 技術(shù)被引入并得到迅速發(fā)展?，F(xiàn)如今，EBAC、RCI已成為芯片失效分析（failure analysis, FA）的主要工具之一，用于IC線路的短路，斷路，高阻缺陷的隔離和精確定位。

原理：

為了探測(cè)芯片的特定電路區(qū)域，EBAC 系統(tǒng)配備了納米探針和掃描電子顯微鏡 (SEM)。當(dāng)電子束（primary electron beam）穿透樣品表面時(shí)，電子流可通過金屬探針所吸收，經(jīng)放大器放大，并通過SEM形成 EBAC 圖像。

電子流的穿透深度取決于掃描電鏡的加速電壓（acceleration voltage）和樣品的材料特性。電子束吸收電流流入金屬/通孔（Metal/Via）結(jié)構(gòu)，然后由探頭測(cè)量。如果金屬/通孔鏈斷裂或打開，則可通過疊加在SEM圖像上的EBAC圖像的突然變化來精確定位定位。

對(duì)于某些高電阻結(jié)構(gòu)（部分于通孔連接），單個(gè)探針無(wú)法定位此類缺陷。因此，在 EBAC 技術(shù)中需要兩個(gè)探頭，即電阻對(duì)比成像（Resistive contrast imaging，RCI）。

結(jié)果：